As memórias PRAM flexíveis apresentaram o menor consumo de energia de todas as memórias de mudança de fase demonstradas até agora. [Imagem: KAIST]
Memórias PRAM
Acabam de ser fabricadas as primeiras memórias PRAM flexíveis, reforçando sua vocação para equipar as novas gerações de equipamentos portáteis e computadores de vestir.
Memórias PRAM (Phase Change Random Access Memory), ou PCM (Phase Change Memory), são fabricadas com materiais que sofrem uma mudança de fase, o que significa que elas não perdem dados na ausência de energia.
Por isso elas são vistas como as sucessoras das memórias flash, já que são muito mais rápidas.
Os materiais de mudança de fase podem alternar entre duas fases estruturais, cada uma delas com diferentes propriedades elétricas, uma cristalina e condutora de eletricidade, e outra amorfa e isolante.
Memórias flexíveis
Byoung You e seus colegas do Instituto KAIST, na Coreia do Sul, desenvolveram agora um processo para fabricar as memórias PRAM em substratos flexíveis.
A tarefa era difícil porque as células de memória precisam ser miniaturizadas à escala nanométrica para garantir a flexibilidade, mas os substratos poliméricos flexíveis não aceitam bem a fotolitografia tradicional, capaz de alcançar essa resolução.
A solução foi encontrada em um processo no qual as nanoestruturas são fabricadas por um processo de automontagem guiado por copolímeros em bloco, que se dão bem com os substratos flexíveis.
As memórias são construídas por automontagem, um processo guiado por copolímeros. [Imagem: ACS Nano]
O processo gera células de memória na faixa dos 10 nanômetros, que podem ser acionadas por correntes abaixo de 20 microamperes, uma das mais baixas registradas até agora em componentes PCM.
"A demonstração de PRAMs de baixa potência sobre plástico é uma das questões mais importantes para as memórias não-voláteis flexíveis para a próxima geração de dispositivos de vestir. Nossa metodologia simples e inovadora apresenta um forte potencial para levar as PRAMs rumo à comercialização," disse o professor Keon Jae Lee, cuja equipe já havia inovado também na fabricação de memórias resistivas, ou RRAM.
Fonte: Redação do Site Inovação Tecnológica
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